كمورد عالي الجودة لـ IGBT يستخدم MELF Patch Glass Sealed NTC Thermistor، اكتسبت X-Meritan معرفة مهنية عميقة مع سنوات عديدة من الخبرة في الصناعة، ويمكنها تزويد العملاء بمنتجات عالية الجودة وخدمات مبيعات ممتازة بشكل أفضل. إذا كنت بحاجة إلى IGBT يستخدم MELF Patch Glass Sealed NTC Thermistor، فلا تتردد في الاتصال بنا للحصول على استشارة.
كمصدر محترف، توفر X-Meritan للعملاء IGBT Uses MELF Patch Glass Sealed NTC Thermistor المصنوع في الصين والذي يلبي معايير الجودة الدولية. IGBT عبارة عن جهاز أشباه موصلات طاقة يتم التحكم فيه بالكامل ويحركه الجهد مع انخفاض منخفض في الجهد ويستخدم على نطاق واسع في إلكترونيات الطاقة. فهو يجمع بين خصائص MOSFET المدفوعة بالجهد مع انخفاض الخسائر على الحالة لـ BJT، مما يدعم تطبيقات التيار العالي والجهد العالي مع سرعات تبديل سريعة وكفاءة عالية. الأداء العام لـ IGBT لا مثيل له من قبل أجهزة الطاقة الأخرى. تكمن ميزتها في الجمع بين مقاومة الإدخال العالية لـ MOSFET مع انخفاض الجهد المنخفض في حالة GTR. في حين أن أجهزة GTR توفر جهد تشبع منخفض وكثافة تيار عالية، فإنها تتطلب أيضًا تيارات قيادة عالية. تتفوق الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) في انخفاض استهلاك طاقة محرك الأقراص وسرعات التبديل السريعة، ولكنها تعاني من انخفاض الجهد العالي في الحالة وانخفاض كثافة التيار. يجمع IGBT بذكاء بين مزايا كلا الجهازين، ويحافظ على استهلاك منخفض للطاقة مع تحقيق جهد تشبع منخفض.
خصائص النقل: العلاقة بين تيار المجمع وجهد البوابة. جهد التشغيل هو جهد البوابة إلى الباعث الذي يمكّن IGBT من تحقيق تعديل التوصيلية. يتناقص جهد التشغيل قليلاً مع زيادة درجة الحرارة، حيث تنخفض قيمته بحوالي 5 مللي فولت لكل زيادة بمقدار 1 درجة مئوية في درجة الحرارة. خصائص الفولت أمبير: يتم قياس خاصية الخرج، أي العلاقة بين تيار المجمع وجهد المجمع إلى الباعث، بجهد البوابة إلى الباعث كمتغير مرجعي. تنقسم خاصية الإخراج إلى ثلاث مناطق: الحجب الأمامي والنشط والتشبع. أثناء التشغيل، يقوم IGBT في المقام الأول بالتبديل بين مناطق الحجب الأمامية والتشبع.
توفر الشركة المصنعة وحدات IGBT المتقدمة تقنيًا والتي تغطي مجالات متعددة وتتمتع بقدرات توزيع متعددة العلامات التجارية. من خلال موردي المكونات الإلكترونية المحترفين، نقدم خدمات التوزيع العالمية.
